1、芯片開蓋

工作原理：利用鐳射及濕式法兩種配合使用的方式去除包封芯片的部分塑封環(huán)氧樹脂，以使得芯片的內(nèi)部結構可以露出來，方便后續(xù)的深度觀察和分析。

擁有新的化學開蓋和激光開蓋方案，積累了多年的開蓋經(jīng)驗，可應對幾乎所有的塑封芯片和各種材質(zhì)（金線、銅線、銀線、合金線）的引線鍵合。

2、芯片去層

工作原理：在真空等離子強化的條件下，通過選擇針對性的刻蝕反應氣體來實現(xiàn)有選擇地剝離芯片內(nèi)部制程結構，方便后續(xù)的觀察分析。通常應用于失效點定位前處理以及配合芯片內(nèi)部布局的影像采集，用于競爭力分析。

擁有RIE（反應式離子刻蝕）和ICP（感應耦合等離子體刻蝕）去層技術，在去層的應用方面積累了非常豐富的經(jīng)驗，可應對常見的各種半導體制程的芯片。

3、拍照

工作原理：在芯片內(nèi)部完成去層之后，通過顯微鏡或電子顯微鏡拍照的方式記錄芯片的部分或全部結構。拍攝過程中照片能夠實現(xiàn)連拍和拼接以形成每一層完整的布局圖（Layout）層與層之間的布局圖也可以實現(xiàn)拼接，以形成完整的芯片布局圖。應用方面以失效點定位后的記錄以及芯片競爭力分析為主。

用日本進口的高性能光學顯微鏡和電子顯微鏡，配套專用數(shù)碼相機，能夠實現(xiàn)高速率、高清晰度的芯片影像采集和自動拼接，節(jié)約客戶等待時間。

4、染色

工作原理：大多數(shù)集成電路采用的都是基于硅基的CMOS制程，制程中的電晶體包含P型摻雜和N型摻雜，他們在與某些化學試劑反應之后會表現(xiàn)為不同的顏色（顯色反應）。通過顏色的差別可以來區(qū)分摻雜區(qū)域進而為后續(xù)的分析提供便利條件。