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實測升降溫數(shù)據(jù)(國外某客戶 12”chuck)

實測升降溫數(shù)據(jù)(國外某客戶 12”chuck)

實測升降溫數(shù)據(jù)(國外某客戶12”chuck):測試條件:試數(shù)據(jù):升溫速度:從25°C升溫到200°C的升溫時間為22分鐘,可以滿足升溫時間小于30分鐘規(guī)格。從-55°C升溫到25°C的升溫時間為9分鐘,可以滿足升溫時間小于15分鐘規(guī)格。降溫速度:從200°C降溫到25°C的降溫時間為14分鐘,可以滿足降溫時間小于22分鐘規(guī)格。從25°C降溫 【詳情】
實測漏電數(shù)據(jù)(國外某客戶)

實測漏電數(shù)據(jù)(國外某客戶)

實測漏電數(shù)據(jù)(國外某客戶):溫度200℃,電壓3000V ,漏電流遠小于50pA 實測數(shù)據(jù)<6.429pA溫度200℃,電壓10V ,漏電流遠小于2pA 實測數(shù)據(jù)<349fA溫度25℃,電壓3000V ,漏電流遠小于50pA 實測數(shù)據(jù)<11.729pA溫度25℃,電壓10V ,漏電流遠小于2pA 實測數(shù)據(jù)<157fA溫度-55℃,電壓3000V ,漏電流遠小于50pA 實測數(shù)據(jù) 【詳情】
高低溫卡盤產(chǎn)品

高低溫卡盤產(chǎn)品

-60℃-200℃-60℃-300°C高低溫卡盤系統(tǒng) 【詳情】
4寸探針臺

4寸探針臺

Failure analysis 集成電路失效分析Wafer level reliability 晶元可靠性認證Device characterization 元器件特性量測Process modeling 塑性過程測試(材料特性分析)IC Process monitoring 制成監(jiān)控Package part probing IC封裝階段打線品質(zhì)測試ESD&TDR testing ESD和TDR測試Microwave probing 微波量測(高頻)Solar太陽能 【詳情】
6寸探針臺

6寸探針臺

Failure analysis 集成電路失效分析Wafer level reliability 晶元可靠性認證Device characterization 元器件特性量測Process modeling 塑性過程測試(材料特性分析)IC Process monitoring 制成監(jiān)控Package part probing IC封裝階段打線品質(zhì)測試ESD&TDR testing ESD和TDR測試Microwave probing 微波量測(高頻)Solar太陽能 【詳情】
8寸探針臺

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12寸雙面探針

12寸雙面探針

Chuck StageX-Y travel coarse 300 mm x 300 mmX-Y travel fine 10 mm x 10 mm (resolution < 1 μm)Z up/down 10 mmTheta travel ± 7oPlanarity < ± 5μm 平坦度Probe Platen DriveZ trave l25mm resolution < ± 1 μmManual Microscope(1000X OR100x option)Travel rangeX-Y-Z 50 mm x 50 mm x 50 mmRes 【詳情】
12寸探針臺

12寸探針臺

Failure analysis 集成電路失效分析Wafer level reliability 晶元可靠性認證Device characterization元器件特性量測Process modeling塑性過程測試(材料特性分析)IC Process monitoring 制成監(jiān)控Package part probingIC封裝階段打線品質(zhì)測試ESD&TDR testing ESD和TDR測試Microwave probing 微波量測(高頻)So 【詳情】
AutoCurveTracer自動曲線追蹤儀

AutoCurveTracer自動曲線追蹤儀

Smart-1 Auto Curve Tracer 產(chǎn)品規(guī)格功能說明1. 機臺主要功能:Open/Short Test ( IC 之斷/短路測試)Auto I / V Curve Tracing & compare function with Known-Good-Device ( 自動 I / V 曲線量測與比對分析)Unpowered & Powered Leakage test ( IC Power Pin Bias or IC Power Pin 不加電壓之漏電 【詳情】